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ヒ化ガリウム（ヒかガリウム、gallium arsenide）はガリウムのヒ化物であり、組成式はGaAsである。半導体素子の材料として多用されている。半導体分野ではガリウムヒ素（ガリウム砒素）の名称で呼ばれることが多く〔該サイトの論文検索(全文)では「ガリウムヒ素」が283件、「ヒ化ガリウム」が52件である。〕、ガリヒ素という俗称も使用される。 == 性質 == 銀色の金属状化合物で、常温で安定な結晶構造は閃亜鉛鉱型（ジンクブレンド型）構造をとる。式量は144.64、融点1511 K、比重は5.310である。砒素化合物だが単独での毒性は弱い。しかし酸や蒸気と反応し、有毒なアルシンを生成する。半導体材料としての性質は、1.43 eV のバンドギャップを持つIII-V族半導体であり、電子移動度は 0.85 m2/(V s)、ホール移動度は 0.04 m2/(V s) である。 抄文引用元・出典: フリー百科事典『 ウィキペディア（Wikipedia）』 ■ウィキペディアで「ヒ化ガリウム」の詳細全文を読む 英語版ウィキペディアに対照対訳語「 Gallium arsenide 」があります。 スポンサード リンク
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