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404特許（404とっきょ）は、かつて化学メーカーの日亜化学工業が保有していた窒化物半導体結晶膜の成長方法に関する日本の特許である。特許番号が第2628404号であったことから、その下3桁を取って404特許と呼ばれる。同社に勤務していた中村修二が職務発明したもので、裁判において、特許を受ける権利の帰属と、帰属が認められない場合の相当対価の支払いが争われた。 == 特許の概要 == 本特許は高輝度青色発光ダイオードの製造において結晶成長の過程で利用することができる「ツーフローMOCVD」技術に関するものである。高輝度青色発光ダイオードなどに用いるGaN(窒化ガリウム)の結晶を成長させるためには約1000℃に熱した基板にGaNの原料ガスを吹き付ける必要があるが、そのままではガスが舞い上がってしまい上手く結晶化することができない。そこで、別のガスを上から吹き付けることで、基板に原料ガス流を押しつけ、結晶成長を可能とした。ガス噴出口が2つ有るために「ツーフローMOCVD」と呼ばれる。 この発明は、1990年10月25日に特許出願され、1997年4月18日に登録された。 抄文引用元・出典: フリー百科事典『 ウィキペディア（Wikipedia）』 ■ウィキペディアで「404特許」の詳細全文を読む スポンサード リンク
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