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分子線エピタキシー法（ぶんしせんエピタキシーほう、 MBE; Molecular Beam Epitaxy）は現在、半導体の結晶成長に使われている手法の一つである。真空蒸着法に分類され、物理吸着を利用する。 高真空のために、原料供給機構より放たれた分子が他の気体分子にぶつかることなく直進し、ビーム状の分子線となるのが名称の由来である。 == 原理と特徴 == 原理自体は単純で、高真空中において、原料を蒸発させるなどして基板表面に照射して堆積させ、薄膜の形で成長させる。 特徴としては、 # 超高真空(10-8Pa(10-10Torr)程度)下で成長を行うため、MOCVD法に比べて成長速度を遅くできる。また製膜温度も低くできる場合がある # 各セルのシャッターにより、成長方向、組成分布を厳密にコントロールできる # RHEEDにより、成長しながらのその場観察が行える # 数Å(10-1nm)オーダーの、単原子層レベルでの成長が可能であり、条件に気をつければ、1原子層ごとに異なる原子を面方位関係を保ったまま堆積させ(エピタキシャル成長)、単結晶の人工格子を作成することができる。 # 複数の原料を独立に制御することで、原子比のよく制御された合金膜を作成することもできる。 などが挙げられる。 また短所としては、超高真空状態の維持が難しいなどの理由で、量産向きの蒸着法ではないことが挙げられる。 抄文引用元・出典: フリー百科事典『 ウィキペディア（Wikipedia）』 ■ウィキペディアで「分子線エピタキシー法」の詳細全文を読む 英語版ウィキペディアに対照対訳語「 Molecular beam epitaxy 」があります。 スポンサード リンク
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