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CMOSイメージセンサ(シーモスイメージセンサ、)はCMOS(相補性金属酸化膜半導体)を用いた固体撮像素子。CCDイメージセンサと同様に、フォトダイオード(PD)を使用するが、製造プロセスと信号の読み出し方法が異なる。 == 歴史 == CMOSイメージセンサの原理が考案されたのは1960年代後半と古いが、実用化されたのは半導体微細加工技術が高度化した1990年代以降である。 抄文引用元・出典: フリー百科事典『 ウィキペディア(Wikipedia)』 ■ウィキペディアで「CMOSイメージセンサ」の詳細全文を読む 英語版ウィキペディアに対照対訳語「 Active pixel sensor 」があります。 スポンサード リンク
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