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翻訳と辞書　辞書検索 [ 開発暫定版 ] スポンサード リンク イメージセンサ ： ウィキペディア日本語版 固体撮像素子（こたいさつぞうそし、英語: solid state image sensor）は、半導体製造技術を用いて集積回路化された光電変換素子、すなわち半導体のイメージセンサである。材料や素子、電荷の転送方式など撮像素子の構成による分類と、走査方式や用途など、応用方法による分類ができる。==構成による分類==現在、固体撮像素子の主流はCCDイメージセンサとCMOSイメージセンサである。いずれも光を検出して電荷を発生させるフォトダイオードを光電変換素子に使用するが、変換された電荷の転送方式が異なる 。最も大きな違いは、CCDは隣同士で並んでいるセルに順番に電荷を受け渡すことで順次データを読み出す（シーケンシャルアクセス）方式のデバイスであるのに対し、CMOSセンサはメモリチップのようにロウとカラムで直接データを読み出す（ランダムアクセス）方式のデバイスであることである。両者の主な特徴をまとめると次のようになる。 固体撮像素子（こたいさつぞうそし、英語: solid state image sensor）は、半導体製造技術を用いて集積回路化された光電変換素子、すなわち半導体のイメージセンサである。材料や素子、電荷の転送方式など撮像素子の構成による分類と、走査方式や用途など、応用方法による分類ができる。 ==構成による分類== 現在、固体撮像素子の主流はCCDイメージセンサとCMOSイメージセンサである。いずれも光を検出して電荷を発生させるフォトダイオードを光電変換素子に使用するが、変換された電荷の転送方式が異なる〔 〕。最も大きな違いは、CCDは隣同士で並んでいるセルに順番に電荷を受け渡すことで順次データを読み出す（シーケンシャルアクセス）方式のデバイスであるのに対し、CMOSセンサはメモリチップのようにロウとカラムで直接データを読み出す（ランダムアクセス）方式のデバイスであることである。両者の主な特徴をまとめると次のようになる。 抄文引用元・出典: フリー百科事典『 ウィキペディア（Wikipedia）』 ■ウィキペディアで「固体撮像素子（こたいさつぞうそし、英語: solid state image sensor）は、半導体製造技術を用いて集積回路化された光電変換素子、すなわち半導体のイメージセンサである。材料や素子、電荷の転送方式など撮像素子の構成による分類と、走査方式や用途など、応用方法による分類ができる。==構成による分類==現在、固体撮像素子の主流はCCDイメージセンサとCMOSイメージセンサである。いずれも光を検出して電荷を発生させるフォトダイオードを光電変換素子に使用するが、変換された電荷の転送方式が異なる 。最も大きな違いは、CCDは隣同士で並んでいるセルに順番に電荷を受け渡すことで順次データを読み出す（シーケンシャルアクセス）方式のデバイスであるのに対し、CMOSセンサはメモリチップのようにロウとカラムで直接データを読み出す（ランダムアクセス）方式のデバイスであることである。両者の主な特徴をまとめると次のようになる。」の詳細全文を読む スポンサード リンク 翻訳と辞書 : 翻訳のためのインターネットリソース Copyright(C) kotoba.ne.jp 1997-2016. All Rights Reserved.