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イメージセンサ : ウィキペディア日本語版
固体撮像素子(こたいさつぞうそし、英語: solid state image sensor)は、半導体製造技術を用いて集積回路化された光電変換素子、すなわち半導体のイメージセンサである。材料や素子、電荷の転送方式など撮像素子の構成による分類と、走査方式や用途など、応用方法による分類ができる。==構成による分類==現在、固体撮像素子の主流はCCDイメージセンサとCMOSイメージセンサである。いずれも光を検出して電荷を発生させるフォトダイオードを光電変換素子に使用するが、変換された電荷の転送方式が異なる 。最も大きな違いは、CCDは隣同士で並んでいるセルに順番に電荷を受け渡すことで順次データを読み出す(シーケンシャルアクセス)方式のデバイスであるのに対し、CMOSセンサはメモリチップのようにロウとカラムで直接データを読み出す(ランダムアクセス)方式のデバイスであることである。両者の主な特徴をまとめると次のようになる。

固体撮像素子(こたいさつぞうそし、英語: solid state image sensor)は、半導体製造技術を用いて集積回路化された光電変換素子、すなわち半導体のイメージセンサである。材料や素子、電荷の転送方式など撮像素子の構成による分類と、走査方式や用途など、応用方法による分類ができる。
==構成による分類==

現在、固体撮像素子の主流はCCDイメージセンサCMOSイメージセンサである。いずれもを検出して電荷を発生させるフォトダイオードを光電変換素子に使用するが、変換された電荷の転送方式が異なる〔 〕。最も大きな違いは、CCDは隣同士で並んでいるセルに順番に電荷を受け渡すことで順次データを読み出す(シーケンシャルアクセス)方式のデバイスであるのに対し、CMOSセンサはメモリチップのようにロウとカラムで直接データを読み出す(ランダムアクセス)方式のデバイスであることである。両者の主な特徴をまとめると次のようになる。


抄文引用元・出典: フリー百科事典『 ウィキペディア(Wikipedia)
ウィキペディアで「固体撮像素子(こたいさつぞうそし、英語: solid state image sensor)は、半導体製造技術を用いて集積回路化された光電変換素子、すなわち半導体のイメージセンサである。材料や素子、電荷の転送方式など撮像素子の構成による分類と、走査方式や用途など、応用方法による分類ができる。==構成による分類==現在、固体撮像素子の主流はCCDイメージセンサとCMOSイメージセンサである。いずれも光を検出して電荷を発生させるフォトダイオードを光電変換素子に使用するが、変換された電荷の転送方式が異なる 。最も大きな違いは、CCDは隣同士で並んでいるセルに順番に電荷を受け渡すことで順次データを読み出す(シーケンシャルアクセス)方式のデバイスであるのに対し、CMOSセンサはメモリチップのようにロウとカラムで直接データを読み出す(ランダムアクセス)方式のデバイスであることである。両者の主な特徴をまとめると次のようになる。」の詳細全文を読む



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