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Static Random Access Memory（スタティックランダムアクセスメモリ）、略称スタティックRAM（スタティックラム）、SRAM（エスラム）は、半導体メモリの一種である。ダイナミックRAM (DRAM) とは異なり、定期的なリフレッシュ（記憶保持動作）が不要であるため「スタティック」と呼ばれる。フリップフロップ等の順序回路を用いてデータを記憶するRAMで、データ残留現象があるものの、電力の供給がなくなると記憶内容が失われる揮発性メモリ（volatile memory）である。 == 概要 == DRAMと異なり、記憶部にフリップフロップ回路を用いているため、リフレッシュ操作が不要であり、記憶保持状態での消費電力は極めて小さい。 DRAMと比べて記憶容量あたりの単価が高いため、高速な情報の出し入れが可能な点を生かしたキャッシュメモリでの使用や、低消費電力を生かした携帯型機器での使用など、比較的データ量の少ない用途によく用いられる。また、低消費電力の例として、SRAMに小さな電池を内蔵あるいは外部に配置することで、主電源が供給されない間も記憶情報を保持する仕組みの不揮発メモリ（NVRAM, コンピュータの時計やBIOS設定情報の保持など）が挙げられる（バッテリーバックアップ機能）。 なお、現在では従来のDRAMの記憶セルを用いながら、消費電力を低減してSRAMと同じインターフェースを持つ疑似SRAMもある。 また、SRAMの応用として、プログラマブルロジックデバイスがある。これは、SRAMの高速動作を利用したものであり、記憶セルの状態によってマトリクス状の配線を接続・切断することにより、ゲートアレイとして機能させる。プログラマブルロジックデバイスの一種であるFPGAは、配線だけでなく論理セルの構造もSRAMによるLUT（ルックアップテーブル）で構成されているものもある。 抄文引用元・出典: フリー百科事典『 ウィキペディア（Wikipedia）』 ■ウィキペディアで「Static Random Access Memory」の詳細全文を読む 英語版ウィキペディアに対照対訳語「 Static random-access memory 」があります。 スポンサード リンク
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