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トンネル磁気抵抗効果 : ウィキペディア日本語版
トンネル磁気抵抗効果[とんねるじきていこうこうか]
トンネル磁気抵抗効果(とんねるじきていこうこうか・)とは、磁気トンネル接合(MTJ)素子において磁場の印加でトンネル電流が流れて電気抵抗が変化する現象であり、TMR効果とも呼ばれる。
==原理==
TMR素子強磁性層の間に膜厚1nm程度の絶縁体層を挟み込む構造をしている。この接合面に対して垂直に電圧を印加するとトンネル効果に因って絶縁体層に電流が流れる。
TMR効果の大きさはトンネル磁気抵抗比TMR比で表される。これは2つの強磁性体電極伝導電子スピン偏極を用いて定義され、更に、電気抵抗磁気抵抗アナロジーであるので、スピン偏極平行時の低電気抵抗スピン偏極が反平行時の高電気抵抗で書ける。
:TMR_ = \frac = \frac
::R_ < R_
強磁性体中の伝導電子スピン偏極しているが、それぞれのスピン偏極の方向を変えることで、トンネル電流を変化させられる。

抄文引用元・出典: フリー百科事典『 ウィキペディア(Wikipedia)
ウィキペディアで「トンネル磁気抵抗効果」の詳細全文を読む



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