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トンネルダイオード（tunnel diode）または江崎ダイオード（Esaki diode）は、量子トンネル効果を使った半導体によるダイオードの一種で、高速動作を特徴としマイクロ波レベルの高周波回路でよく使われている。 == 概要 == 1957年8月、東京通信工業（現ソニー）の江崎玲於奈と助手の黒瀬百合子が発明した〔トンネルダイオード（特許第2673362号）における発明者の項 〕。江崎はこの半導体内のトンネル効果の発見により、1973年のノーベル物理学賞を関連分野の2名と共に受賞している。 トンネルダイオードは数十ナノメートルの幅で高濃度にドープされたpn接合を持つ。高濃度のドープにより大きくバンド端がずれ、バンドアライメントは type-III になる。すなわち、N型半導体側の伝導帯とP型半導体側の価電子帯とがエネルギー的に若干の重なりを持つようになる。 ソニーは1957年からトンネルダイオードの生産を開始し、ゼネラル・エレクトリックなどの企業が1960年ごろからそれに追随、今も少量ながら生産が続いている〔''Tunnel diodes, the transistor killers'' , EE Times, retrieved 2 October 2009 〕。通常ゲルマニウムで作られるが、ヒ化ガリウムやシリコンでも製造可能である。発振回路、増幅回路、周波数コンバータ、検波回路などで使われている。論理素子への応用として、後藤英一によるゴトーペアがある。 抄文引用元・出典: フリー百科事典『 ウィキペディア（Wikipedia）』 ■ウィキペディアで「トンネルダイオード」の詳細全文を読む 英語版ウィキペディアに対照対訳語「 Tunnel diode 」があります。 スポンサード リンク
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