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基板バイアス効果 : ウィキペディア日本語版
基板バイアス効果[きばんばいあすこうか]
基板バイアス効果(きばんばいあすこうか)、あるいは基板効果(きばんこうか)(英:body effect)は、MOSFETにおけるスレッショルド(しきい値電圧が、バックゲート(基板)の電圧により変動すること。
==関連項目==

*電界効果トランジスタ
*MOSFET


fr:Transistor à effet de champ à grille métal-oxyde#Tension de seuil

抄文引用元・出典: フリー百科事典『 ウィキペディア(Wikipedia)
ウィキペディアで「基板バイアス効果」の詳細全文を読む



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