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基板接合[きばんせつごう]
基板接合(きばんせつごう、Wafer bonding)とは、基板を接合する技術であり、半導体集積回路作製技術やMEMS作製技術として使用される。主にシリコン基板同士またはシリコン基板と異種材料の基板を接合するために用いられる。 == 概要 == 基板接合の方法には大きく分けて2つの方法がある。ひとつは接着層を介さず直接基板どうしを接合する「直接接合」(Direct bonding)で、もうひとつは接着剤や金属、低融点ガラスなどを接着層として基板間に挟む「間接接合」である。 直接接合は主にSOI基板の作製やMEMSデバイスの作製で用いられる。関節接合は作製工程の自由度が高いので、パッケージングなどに用いられることが多い。 以下では主に直接接合について述べる。直接接合には「拡散接合」、「常温接合」、「陽極接合」、「反応接合」などがあるが、「陽極接合」を直接接合に含めない場合もある。「拡散接合」、「常温接合」では接合面が非常に平坦であることが必要である。
抄文引用元・出典: フリー百科事典『 ウィキペディア(Wikipedia)』 ■ウィキペディアで「基板接合」の詳細全文を読む
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