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強誘電体浮遊ゲートメモリ : ウィキペディア日本語版
強誘電体浮遊ゲートメモリ[きょうゆうでんたいふゆうげーとめもり]
強誘電体浮遊ゲートメモリ(きょうゆうでんたいふゆうげーとめもり・)とは、FeRAMの一種で、セルとして強誘電体ゲート絶縁膜にしたFETを用いており、FFRAMとも呼ばれる。
==構造と動作原理==
メモリセルデータの最小単位である1bitを保持するために必要な回路〕構成としては、ゲート絶縁膜強誘電体から成るMFS-FET又はMFMIS-FETから成る1T型(トランジスター型)である。
この方式は、強誘電体残留分極に因る半導体抵抗変化に拠って、データが0か1かを判別する。ワード線・ビット線及びソースプレートの間に電圧を印加して強誘電体ゲート絶縁膜を任意の方向分極させる。すると、ドレイン・ソース間のゲート絶縁膜直下の部分がワード線電圧の印加解除後も電荷を帯びた儘の状態になる。
要するに、その後は、ワード線電圧を印加していない状態でもFETを選択的にON又はOFFにできる。これは、見かけ上は閾値電圧が変化することを意味している。故に、ドレイン・ソース間に電圧を印加すると、ゲート絶縁膜分極状態に依って検出される電流が変わるので、データが0か1かを判別できる。
なお、この方式では、読み出し時に強誘電体分極電荷は変化しないので非破壊読み出し(NDRO)であり、且つ、メモリセル〔の構造も単純で済む。しかし、現時点では、微細化に伴うFETゲート絶縁膜界面部分のリーク電流が大きくなるという問題を克服できておらず、実用化は困難である。

抄文引用元・出典: フリー百科事典『 ウィキペディア(Wikipedia)
ウィキペディアで「強誘電体浮遊ゲートメモリ」の詳細全文を読む



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