翻訳と辞書 Words near each other ・ 強装弾 ・ 強襲 ・ 強襲揚陸艦 ・ 強襲機甲部隊 攻撃ヘリコプター戦記 ・ 強要 ・ 強要罪 ・ 強記 ・ 強訴 ・ 強誘電体 ・ 強誘電体メモリ ・ 強誘電体浮遊ゲートメモリ ・ 強誘電性 ・ 強調 ・ 強調因子 ・ 強調子音 ・ 強調遺伝子 ・ 強調遺伝子、強調因子、増幅器 ・ 強調音 ・ 強談 ・ 強請 Dictionary Lists mini英和辞書 mini和英辞書 Webster 1913 Latin-English FOLDOC Wikipedia English ウィキペディア

翻訳と辞書　辞書検索 [ 開発暫定版 ] スポンサード リンク 強誘電体浮遊ゲートメモリ ： ウィキペディア日本語版 強誘電体浮遊ゲートメモリ[きょうゆうでんたいふゆうげーとめもり] 強誘電体浮遊ゲートメモリ(きょうゆうでんたいふゆうげーとめもり・)とは、FeRAMの一種で、セルとして強誘電体をゲート絶縁膜にしたFETを用いており、FFRAMとも呼ばれる。 ==構造と動作原理== メモリセル〔データの最小単位である1bitを保持するために必要な回路〕構成としては、ゲート絶縁膜が強誘電体から成るMFS-FET又はMFMIS-FETから成る1T型(トランジスター型)である。 この方式は、強誘電体の残留分極に因る半導体の抵抗変化に拠って、データが0か1かを判別する。ワード線・ビット線及びソースプレートの間に電圧を印加して強誘電体のゲート絶縁膜を任意の方向に分極させる。すると、ドレイン・ソース間のゲート絶縁膜直下の部分がワード線電圧の印加解除後も電荷を帯びた儘の状態になる。 要するに、その後は、ワード線電圧を印加していない状態でもFETを選択的にON又はOFFにできる。これは、見かけ上は閾値電圧が変化することを意味している。故に、ドレイン・ソース間に電圧を印加すると、ゲート絶縁膜の分極状態に依って検出される電流が変わるので、データが0か1かを判別できる。 なお、この方式では、読み出し時に強誘電体膜の分極電荷は変化しないので非破壊読み出し(NDRO)であり、且つ、メモリセル〔の構造も単純で済む。しかし、現時点では、微細化に伴うFETのゲート絶縁膜界面部分のリーク電流が大きくなるという問題を克服できておらず、実用化は困難である。 抄文引用元・出典: フリー百科事典『 ウィキペディア（Wikipedia）』 ■ウィキペディアで「強誘電体浮遊ゲートメモリ」の詳細全文を読む スポンサード リンク 翻訳と辞書 : 翻訳のためのインターネットリソース Copyright(C) kotoba.ne.jp 1997-2016. All Rights Reserved.