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舛岡富士雄 : ウィキペディア日本語版
舛岡富士雄[ますおか ふじお]
舛岡 富士雄(ますおか ふじお、1943年5月8日 - )は日本の電子工学研究者。東北大学名誉教授。フラッシュメモリの発明者である。
日本ユニサンティスエレクトロニクス株式会社最高技術責任者(CTO)。Surrounding Gate Transistor(SGT)の開発を行っている。2007年春の褒章受章者で紫綬褒章2013年文化功労者が贈られている。
== 来歴 ==

* 1943年 群馬県高崎市出身。
* 1962年 群馬県立高崎高等学校卒。
* 1966年 東北大学工学部電子工学科卒業。研究室は西澤潤一研究室。同大学大学院工学研究科電子工学専攻修士課程進学。
* 1968年 同修士課程修了、同博士後期課程進学。
* 1971年 同博士後期課程修了。工学博士(東北大学甲第1431号、学位論文『半導体インダクタンスに関する研究』)。株式会社東芝に入社。
* 1980年 NOR型フラッシュメモリを発明。
* 1986年 NAND型フラッシュメモリを発明。
* 1994年 同社退社、東北大学大学院情報科学研究科教授。
* 1996年 東北大学電気通信研究所教授。
* 1997年 IEEEモーリス・N・リーブマン記念賞受賞。
* 2004年 日本ユニサンティスエレクトロニクス株式会社最高技術責任者(CTO)。
* 2007年 紫綬褒章
* 2013年 文化功労者

抄文引用元・出典: フリー百科事典『 ウィキペディア(Wikipedia)
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