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視覚誘発電位 : ウィキペディア日本語版
視覚誘発電位[しかくゆうはつでんい]
視覚誘発電位(しかくゆうはつでんい、英:Visual evoked potentials, VEP)とは、視覚刺激を与えることで大脳皮質視覚野に生じる電位である。歴史的にはフラッシュVEPとパターンVEPの2種類があるが、フラッシュVEPは波形の再現性が同一個人間でも難があり、2010年現在はパターンVEPが用いられることが多い。

== 原理 ==
全視野刺激を行うと後頭部正中線を中心に陰性-陽性―陰性の三相波が出現する。極性と潜時からそれぞれN75、P100、N145と呼ばれている。まれにM75のまえにM60が記録されることもある。ヒトの場合はN75とP100は1次視覚野由来であることが確認されている。サルを用いた研究ではN75が外側膝状体から入力を受ける1次視覚野の4C層、P100は1次視覚野の2、3層、N145は1~3視覚野の広い領域に関連する反応と考えられている。半盲の検査のため半側視野刺激を行うこともあり奇異性頭皮上分布を認めることがある。

抄文引用元・出典: フリー百科事典『 ウィキペディア(Wikipedia)
ウィキペディアで「視覚誘発電位」の詳細全文を読む



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