翻訳と辞書 Words near each other ・ 間投詞 ・ 間抜け ・ 間抜け面 ・ 間挿再生 ・ 間接 ・ 間接(反応型)ビリルビン ・ 間接X線撮影 ・ 間接X線撮影(法) ・ 間接アプローチ ・ 間接アプローチ戦略 ・ 間接ギャップ ・ 間接クロスコネクション ・ 間接クームス抗体価 ・ 間接クームス試験 ・ 間接ビリルビン ・ 間接フリーキック ・ 間接事実 ・ 間接互恵性 ・ 間接作用 ・ 間接侵略 Dictionary Lists mini英和辞書 mini和英辞書 Webster 1913 Latin-English FOLDOC Wikipedia English ウィキペディア

翻訳と辞書　辞書検索 [ 開発暫定版 ] スポンサード リンク 間接ギャップ ： ウィキペディア日本語版 間接遷移[かんせつせんい] 間接遷移（かんせつせんい、）は、波数空間（k空間）において、半導体のバンド図を描いた場合に、伝導帯の底と価電子帯の頂上が同一の波数ベクトル（k点）の点に存在しないことを言う。波数 k の違いは運動量の違いを表している。間接ギャップ（）とも言う。 == 間接遷移の吸光/発光 == 直接遷移の半導体では、電子とホールの再結合において光が発生する。間接遷移の半導体では、光の発生は直接遷移半導体と比較し大幅に弱い発光となる。これは、光の発光、吸収の過程においてエネルギー保存則と運動量保存則の両者の成立が必要であるためである。間接遷移の場合、伝導帯の底にいる電子が価電子帯の頂上にあるホール（伝導帯の下端とは異なるk点上にある）と再結合（遷移）するためには、何らかの運動量が必要となる。光子はこの運動量差と比較して非常に小さい運動量しか持たないため、光子だけでの遷移はできない。通常、光子の代わりに格子振動の励起（フォノンの吸収や放出）が生じる。低温（例えば4 K）では、フォノンを利用できないため、間接遷移材料の光の吸収・放出は直接遷移材料より温度に影響しやすい。このように、間接遷移半導体では、電子とホールの再結合の際外部の運動量を必要とするため、再結合寿命が長い。この寿命は、基板濃度に依存するものの、シリコンではミリ秒を超える場合もある。その拡散の間に表面順位や欠陥順位等にとらわれ発光を伴わない再結合を起こすため発光効率が著しく落ちる。 抄文引用元・出典: フリー百科事典『 ウィキペディア（Wikipedia）』 ■ウィキペディアで「間接遷移」の詳細全文を読む スポンサード リンク 翻訳と辞書 : 翻訳のためのインターネットリソース Copyright(C) kotoba.ne.jp 1997-2016. All Rights Reserved.