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Emitter turn off thyristor : ウィキペディア英語版
Emitter turn off thyristor
The Emitter Turn Off Thyristor (ETO) is a type of thyristor that uses a MOSFET to turn on and turn off. It combines the advantages of both the GTO and MOSFET. It has two gates - one normal gate for turn on and one with a series MOSFET for turn off.〔Rashid, Muhammad H.(2011); ''Power Electronics (3rd ed.)''. Pearson, ISBN 978-81-317-0246-8〕
==History==

The first generation ETO was developed in Center for Power Electronics, Virginia Tech in 1999. Although the ETO concept was demonstrated, the first generation ETO had limitations which prevented it from handling the real high power.〔(【引用サイトリンク】title=Development of the Advanced Emitter Turn-Off (ETO) Thyristor )

抄文引用元・出典: フリー百科事典『 ウィキペディア(Wikipedia)
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