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Indium gallium nitride
Indium gallium nitride (InGaN, x1-x) is a semiconductor material made of a mix of gallium nitride (GaN) and indium nitride (InN). It is a ternary group III/group V direct bandgap semiconductor. Its bandgap can be tuned by varying the amount of indium in the alloy. The ratio of In/Ga is usually between 0.02/0.98 and 0.3/0.7. ==Applications==
抄文引用元・出典: フリー百科事典『 ウィキペディア(Wikipedia)』 ■ウィキペディアで「Indium gallium nitride」の詳細全文を読む
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