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Random Access Memory（ランダムアクセスメモリ、RAM、ラム）とは、コンピュータで使用するメモリの一分類。 本来は随時アクセスメモリのことで、格納されたデータに任意の順序でアクセスできる（ランダムアクセス）メモリの意味である。「ランダム」ということは、データのどんな断片でも、その物理的位置や前後のデータとの関係に関わらず、一定の時間で参照できることを本来は意味しており、対になるのはシーケンシャルアクセスメモリである。 しかし、ROM（読み出し専用メモリ）に対して、書き込みできるメモリの意であることが専らである。 == 概説 == 本来の「ランダムアクセス・メモリ」は、アドレス信号によって番地情報を与えることで、任意の番地のメモリーセルに対して読み出しや書き込みといった操作ができる記憶装置である。RAMとは異なり、磁気テープのように記憶情報が順番に格納されていて所要の番地への操作を行なうには順番待ちをしなければならない記憶装置があり、これら逐次アクセスメモリ（Sequential access memory、SAM）と呼ばれる。 本来、RAMという言葉には読み書き(Read/Write)可能という意味はない。しかし、ランダムアクセスで読み書き共に可能なメモリのことを指すことが多い。なお、正確を期すために、RWM（Read write memory）と呼ばれることもある。ROMは電源を供給しなくても記憶内容を保持する不揮発メモリ（NVM: Non Volatile Memory）であるが、RAMはほとんどが（MRAM, FeRAMなどを除き）電源の供給を絶つと記憶内容が失われる揮発メモリ（Volatile Memory）である。 半導体RAMは、記憶方式、構造などにより数多くの分類がされているが、DRAM（Dynamic RAM、ディーラム）とSRAM（Static RAM、エスラム）に大別できる。 抄文引用元・出典: フリー百科事典『 ウィキペディア（Wikipedia）』 ■ウィキペディアで「Random Access Memory」の詳細全文を読む 英語版ウィキペディアに対照対訳語「 Random-access memory 」があります。 スポンサード リンク
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