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フラッシュメモリ () は、FETでホットエレクトロンを浮遊ゲートに注入してデータ記録を行う不揮発性メモリである。舛岡富士雄が東芝在籍時に発明した。写真のフラッシュのようにぱっと消去できることからフラッシュメモリと名付けられた〔http://www.takeda-foundation.jp/reports/pdf/ant0104.pdf〕。 ==概要== フラッシュEEPROMやフラッシュROMとも呼ばれている。各ビットの記憶セルの基本的な構造としてはある種のEEPROMであるが、複数ビットから成るブロック内で「押し流す」ようなメカニズムと〔構造からは「押し流す」＝flushという感じだが、公称はflashである。〕、読み書き可能な単位（ブロックサイズは数キロバイトから数十キロバイト）と速度が扱いやすい程度であることが特徴である。浮遊ゲートとシリコン基板間のゲート絶縁膜が極めて薄くなっている。 抄文引用元・出典: フリー百科事典『 ウィキペディア（Wikipedia）』 ■ウィキペディアで「フラッシュメモリ」の詳細全文を読む 英語版ウィキペディアに対照対訳語「 Flash memory 」があります。 スポンサード リンク
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