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MESFET()は電界効果トランジスタの一種。ショットキー接合性の金属をゲートとして半導体上に形成した構造を持つ。動作原理はpn接合を使用しているJFETと同一である。一般にMESFETは化合物半導体〔ヒ化ガリウム(GaAs)、リン化インジウム(InP)、炭化ケイ素(SiC)等〕で利用され、シリコンのMOSFETと比較して、高性能を示し、各種のRF素子に利用されている。 ==脚注== 〔 抄文引用元・出典: フリー百科事典『 ウィキペディア(Wikipedia)』 ■ウィキペディアで「MESFET」の詳細全文を読む スポンサード リンク
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