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MOSキャパシタ
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MOSダイオード
MOSダイオードは、MOS（Metal-Oxide-Semiconductor、金属-酸化物-半導体）素子によるダイオードである。エンハンスメントモードのNチャネルMOSFETのドレインとゲートを短絡した「ダイオード接続MOS」のことを指す場合と、単純なMOS素子のモデルとして、シリコンウェファの表面を酸化絶縁膜とし、その上に金属電極を付けた構造のことを指す場合とがある。MOSの詳細についてはMOSFETの記事を参照のこと。
== ダイオード接続MOS ==
ダイオード接続MOSは、ノーマリーオフ（エンハンスメントモード）のNチャネルMOSFETのドレインとゲートを短絡したもので、一般のダイオードに似た単方向性のある2極素子として扱うことができるが、原理上動作電位の制限などがある〔両極の動作電位が（正の）電源の前後であれば、Pチャネルを使うようにアレンジするなど。〕。Vfが、PN接合ダイオードでは約0.6V・ショットキーバリアダイオードはもっと低いが、ダイオード接続MOSでは使用するFETの VGS(th) によって決まる。
MOS集積回路 (IC) 中ではこの他に、バルクと電極の間のいわゆる寄生ダイオードをPN接合ダイオードとして利用することもある。また、似たようなFETの使い方として、ノーマリーオン（depletionモード）のNチャネル接合型FET (JFET) のソースとゲートを短絡し、IDSSを利用するいわゆる定電流ダイオードがある。
抄文引用元・出典: フリー百科事典『 ウィキペディア（Wikipedia）』
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