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アンチモン化アルミニウム(Aluminium antimonide)は、アルミニウムとアンチモンを含むIII-V族半導体である。格子定数は、0.61 nmである。間接バンドギャップは、300Kで約1.6 eVであるが、直接バンドギャップは2.22 eVである。 300Kで、電子移動度は200cm2・V-1・s-1、正孔移動度は4002・V-1・s-1である。屈折率は、波長2μmで3.3、誘電率はマイクロ波波長で10.9である〔K Seeger and E Schonherr "Microwave dielectric constant of aluminium antimonide" Semicond. Sci. Technol. 6 (1991) 301 〕。 アンチモン化アルミニウムは、他のIII-V族材料と合金を作ることができ、アンチモン化アルミニウムインジウム(AlInSb)、アンチモン化アルミニウムガリウム(AlGaSb)、アンチモン化アルミニウムヒ素(AlAsSb)等の三元合金を形成する。 アンチモン化アルミニウムは、アンチモン化物イオン(Sb3-)が還元性を持つために可燃性があり、燃えると酸化アルミニウムと三酸化アンチモンが生成する。 ==関連項目== *アンチモン化ガリウム *アンチモン化インジウム *ヒ化アルミニウム 抄文引用元・出典: フリー百科事典『 ウィキペディア(Wikipedia)』 ■ウィキペディアで「アンチモン化アルミニウム」の詳細全文を読む スポンサード リンク
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