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ダングリングボンド（）は、原子における未結合手のこと。半導体結晶に於いては、結晶の表面や欠陥付近では原子は共有結合の相手を失って、結合に関与しない電子(不対電子)で占められた結合手が存在する。この手をダングリングボンドと呼ぶ。 ダングリングボンド上の電子は不安定なため化学的に活性となり、特に結晶表面の物性には重要な役割を果たす。 例えば、シリコン（ダイヤモンド構造）の(001)理想表面の表面第一層のシリコン原子は2個のダングリングボンドを持ち、そのままでは非常に不安定になっている。実際のシリコン表面はダングリングボンドを減らすためにダイマー化した構造を形成する（→表面再構成）。このようにダングリングボンドが存在する表面では、ダングリングボンドを減らす（なくす）ために再構成（リコンストラクション）などの構造の変化が起こる。 == 関連項目 == * 半導体-アモルファス半導体 * 物性物理学 たんくりんくほんと たんくりんくほんと 抄文引用元・出典: フリー百科事典『 ウィキペディア（Wikipedia）』 ■ウィキペディアで「ダングリングボンド」の詳細全文を読む スポンサード リンク
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