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ヘテロ接合バイポーラトランジスタ (''Heterojunction Bipolar Transistor'') は、ヘテロ接合の隣りにベース構造を有するバイポーラジャンクショントランジスタ (BJT) のことで、英語の単語の頭文字をとってHBT（エイチビーティー）と呼ばれる。ヘテロ構造の効果により、バイポーラトランジスタに比べ、電流増幅率を落とさずに動作速度が向上することができ、最高で500GHz以上で動作する超高速トランジスタの構造の名称である。構造的にはベース層の片側のみをヘテロ構造にしたSHBTと両側をヘテロ接合にしたDHBTなどがある。 == 動作原理 == HBTは、基本的にはnpn型バイポーラトランジスタの応用形と位置づけられるが、エミッタ層とベース層の材料に特徴がある。高速動作のためにはベース層を薄くし、キャリア濃度を上げると効果的であるが、エミッタ層においてバンドギャップが広い材料を用い、ベース層にはバンドギャップが狭い材料を選び、動作時にはエミッタからベースへの拡散電流がベース領域で失われることなくコレクタへ流れるようにする一方で、ベースからエミッタへの拡散電流を価電子帯のヘテロ接合により阻止するように工夫した構造となっている。 また、ヘテロ構造の特徴としてエミッタからベースに注入される電子がバリスティック輸送されることにより高速動作する可能性についてHerbert Kroemerが1950sの研究から提案され、HBTを含むヘテロ接合の先駆的研究に対し2000年にノーベル物理学賞を受賞している。通常のHBT動作は、バリスティックというより熱平衡（キャリア拡散と電位計算）モデルにてほぼ解析することができる。 抄文引用元・出典: フリー百科事典『 ウィキペディア（Wikipedia）』 ■ウィキペディアで「HBT」の詳細全文を読む 英語版ウィキペディアに対照対訳語「 Heterojunction bipolar transistor 」があります。 スポンサード リンク
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