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メモリスタ (またはメモリスター。) は、通過した電荷を記憶し、それに伴って抵抗が変化する受動素子である。 抵抗器、キャパシタ、インダクタに次ぐ新たな受動素子であるので、“第4の回路素子” と呼ばれる。 過去に流れた電流を記憶する抵抗器であることからメモリスタ () と名づけられた。 == 歴史 == メモリスタの存在は1971年にLeon Chuaの論文で指摘されていたが、対応する物理現象が発見されず、メモリスタは長い間実現されることはなかった。しかし、2008年に米ヒューレット・パッカード (HP) 研究所により二酸化チタンの薄膜を用いたメモリスタが開発され、第4の回路素子として注目を集めることとなった。 記憶素子としてはフラッシュメモリより高速・低消費電力であり、DRAMより安価で省電力であるという性質を持っていると言われ、両方を置き換える可能性がある。面積あたりの記憶容量もフラッシュメモリと比べて2倍にでき、また放射線による影響も受けないというメリットがある〔。 2010年4月には、メモリスタが論理演算装置としても使用できることを確認したとHPが発表。演算装置と記憶素子を単一のデバイスに統合できるため、より小型でエネルギー効率の良いデバイスを開発できる可能性が示された〔。 HPは2020年までの完全な形での商品化を目指している。 抄文引用元・出典: フリー百科事典『 ウィキペディア（Wikipedia）』 ■ウィキペディアで「メモリスタ」の詳細全文を読む スポンサード リンク
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