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===================================== 〔語彙分解〕的な部分一致の検索結果は以下の通りです。 ・ ー ： [ちょうおん] (n) long vowel mark (usually only used in katakana)
ライトアンプリフィケーション (WA:''Write Amplification'') は、フラッシュメモリやFlash SSDにおいて、実際に書き込んだデータの量よりも、フラッシュチップに対する書込量が増加すると言う、好まざる現象の事を言う。 Because flash memory must be erased before it can be rewritten, the process to perform these operations results in moving (or rewriting) user data and metadata more than once.→フラッシュメモリに再書き込みを行うためには前もってその領域の消去が必要である。そのためにはデータやメタデータの移動や再書き込みが一度以上必要となる。 This multiplying effect increases the number of writes required over the life of the SSD which shortens the time it can reliably operate.→この動作増加作用は書込回数を増やし、SSDが信頼性を持って動作することのできる期間を短縮する。 The increased writes also consume bandwidth to the flash memory which mainly reduces random write performance to the SSD.→書込回数増加はまたフラッシュメモリへの帯域を消費し、SSDの主にランダムライトの性能を低下させる。 Many factors will affect the write amplification of an SSD; some can be controlled by the user and some are a direct result of the data written to and usage of the SSD.→多くの要因がSSDの書込回数増幅に影響する。一部はユーザーによるコントロールが可能であり、一部は書き込まれるデータやSSDの使用法そのものが原因となる。 Intel and SiliconSystems (acquired by Western Digital in 2009) used the term write amplification in their papers and publications as early as 2008. →インテルとウェスタンデジタルは2008年迄には論文や出版物に書込増幅という単語を使用していた。Write amplification is typically measured by the ratio of writes coming from the host system and the writes going to the flash memory.書込増幅は普通ホストよりの書込データ量とフラッシュメモリへ渡される書込データ量の比によって計られる。 Without compression, write amplification cannot drop below one. 圧縮無しには書込増幅は１を下回ることはない。Using compression, SandForce has claimed to achieve a typical write amplification of 0.5, with best-case values as low as 0.14 in the SF-2281 controller.サンドフォースは圧縮を用いることで通常の書込増幅0.5、SF-2281コントローラーを使用し最善の状況で0.14、を達成したと主張した。 == Flash SSDにおける基本的処理 == フラッシュメモリの特質として、メモリにあるデータを直接「書き換える」こと（オーバーライト）が原理上不可能であり、これはハードディスクドライブとは異なっている。Flash SSD にデータが書き込まれるとき、該当するフラッシュメモリのセルはすべて「消去」されており、そのようなページ（通常サイズは4KiB）に対して一度にデータが書き込まれる。 The SSD controller on the SSD, which manages the flash memory and interfaces with the host system, uses a logical to physical mapping system known as logical block addressing (LBA) and that is part of the flash translation layer (FTL). When new data comes in replacing older data already written, the SSD controller will write the new data in a new location and update the logical mapping to point to the new physical location. The data in the old location is no longer valid, and will need to be erased before the location can be written again.〔 Flash memory can only be programmed and erased a limited number of times. This is often referred to as the maximum number of program/erase cycles (P/E cycles) it can sustain over the life of the flash memory. Single-level cell (SLC) flash, designed for higher performance and longer endurance, can typically operate between 50,000 and 100,000 cycles. , multi-level cell (MLC) flash is designed for lower cost applications and has a greatly reduced cycle count of typically between 3,000 and 5,000. A lower write amplification is more desirable, as it corresponds to a reduced number of P/E cycles on the flash memory and thereby to an increased SSD life.〔 抄文引用元・出典: フリー百科事典『 ウィキペディア（Wikipedia）』 ■ウィキペディアで「ライトアンプリフィケーション」の詳細全文を読む スポンサード リンク
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