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三村 高志（みむら たかし、1944年 - ）は日本の工学者。工学博士。富士通研究所フェロー。独立行政法人情報通信研究機構客員研究員。超高速半導体素子、HEMTの発明者。 ==高電子移動度トランジスタ HEMTについて== HEMTは、高速・低雑音性の極めて高いトランジスタである。HEMTは現在、衛星放送受信機や携帯電話機、カーナビゲーション受信機、自動車レーダーなどに使われており、IT社会を支える基盤技術として幅広く使われる技術となっている。また、電波望遠鏡用の低雑音受信機として、未知の星間分子を発見するのに役立ち、天文学の研究を進歩させたり、半導体の薄膜成長技術の進展を加速させ、その後の、化合物半導体を用いた電子デバイス、光デバイス技術の発展に役立つなど、産業界だけでなく、学問・技術研究の分野にも大きな貢献を果たしている。また、アメリカのクリントン政権 が2000 年 1 月に発表した National Nanotechnology Initiative においては、ナノテクノロジーの成功例の一つに HEMT があげられている。〔「ナノテクノロジーとエレクトロニクス」講演会報告 〕 抄文引用元・出典: フリー百科事典『 ウィキペディア（Wikipedia）』 ■ウィキペディアで「三村高志」の詳細全文を読む スポンサード リンク
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