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基板バイアス効果(きばんばいあすこうか)、あるいは基板効果(きばんこうか)(英:body effect)は、MOSFETにおけるスレッショルド(しきい値)電圧が、バックゲート(基板)の電圧により変動すること。 ==関連項目== *電界効果トランジスタ *MOSFET fr:Transistor à effet de champ à grille métal-oxyde#Tension de seuil 抄文引用元・出典: フリー百科事典『 ウィキペディア(Wikipedia)』 ■ウィキペディアで「基板バイアス効果」の詳細全文を読む 英語版ウィキペディアに対照対訳語「 Threshold voltage 」があります。 スポンサード リンク
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