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多数キャリヤ : ミニ英和和英辞書
多数キャリヤ[たすう]
=====================================
〔語彙分解〕的な部分一致の検索結果は以下の通りです。

: [た]
  1. (n,pref) multi- 
多数 : [たすう]
  1. (n-adv,n) countless 2. great number 3. majority 
: [すう, かず]
  1. (n,n-suf) number 2. figure 

多数キャリヤ ( リダイレクト:半導体#キャリア ) : ウィキペディア日本語版
半導体[はんどうたい]
半導体(はんどうたい、)〔なお、「半導体」の名称は、英語 "semiconductor" の "semi-" =「半分」と "conductor" =「導体」に基づいたものである。〕とは、電気電導性の良い金属などの導体(良導体)と電気抵抗率の大きい絶縁体の中間的な抵抗率をもつ物質を言う〔シャイヴ(1961) p.9〕。代表的なものとしては元素半導体のシリコン(Si)などがある。
電子工学で使用されるICのような半導体素子はこの半導体の性質を利用している〔半導体は産業のコメだと言われるほど非常に重要な分野として扱われる。ムーアの法則の代表例として頻繁に用いられる。〕。

== 概要 ==

金属などの導体とゴムなどの絶縁体の中間の抵抗率を持つ物質を半導体(semiconductor)と呼ぶ。半導体は、磁場電圧電流放射線などの影響でその電導性が顕著に変わるという特徴を持つ〔バンド理論によれば、これらは適切な幅の禁制帯を持つバンド構造に由来し、電子伝導電子になったり価電子になったりすることで、電気的・光学的・熱的などの面で性質が変化する。〕が、これら特徴は固体のバンド理論によって説明される。
なお、バンド理論を用いれば、半導体とは、価電子帯を埋める電子の状態は完全に詰まっている(充満帯である)ものの、禁制帯を挟んで、伝導帯を埋める電子の状態は存在しない(空帯である)物質として定義される〔通常、半導体として扱われる物質のバンドギャップは、シリコンで約1.1 eVゲルマニウムで約0.67 eV、ヒ化ガリウム化合物半導体で約1.4 eVである。発光ダイオードなどではもっと広いものも使われ、リン化ガリウムでは約2.3 eV、窒化ガリウムでは約3.4 eVである。現在では、ダイヤモンドで5.27 eV、窒化アルミニウムで5.9 eVの発光ダイオードが報告されている。ダイヤモンドは絶縁体として扱われることがあるが、実際には前述のようにダイヤモンドはバンドギャップの大きい半導体であり、窒化アルミニウム等と共にワイドバンドギャップ半導体と総称される。
〕。

抄文引用元・出典: フリー百科事典『 ウィキペディア(Wikipedia)
ウィキペディアで「半導体」の詳細全文を読む

英語版ウィキペディアに対照対訳語「 Semiconductor 」があります。




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