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プラズマCVD（plasma CVD, plasma-enhanced chemical vapor deposition, PECVD）は、プラズマを援用する型式の化学気相成長(CVD)の一種である〔図解・薄膜技術、真下正夫、畑朋延、小島勇夫、培風館、1999年、ISBN 4-563-03541-6〕。さまざまな物質の薄膜を形成する蒸着法のひとつである。化学反応を活性化させるため、高周波などを印加することで原料ガスをプラズマ化させるのが特徴である。半導体素子の製造などに広く用いられる。 == 特徴 == 成膜速度が速く、処理面積も大きくできる、凹凸のある表面でも満遍なく製膜できるなど、化学気相成長の主な長所を多く有する。 さらにプラズマを援用することで、熱CVDなどに比較すると下記のような長所を有する。 *低い温度でも、より緻密な薄膜を形成できる。 *熱によるダメージや層間での相互拡散を抑制できる。 *熱分解しにくい原料でも、実用的な堆積速度が得られやすい。 *熱分解温度の異なる原料同士を用いても、様々な組成比の薄膜を形成できる。 抄文引用元・出典: フリー百科事典『 ウィキペディア（Wikipedia）』 ■ウィキペディアで「プラズマCVD」の詳細全文を読む 英語版ウィキペディアに対照対訳語「 Plasma-enhanced chemical vapor deposition 」があります。 スポンサード リンク
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