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擬似SRAM（ぎじエスラム、Pseudo Static Randome Access Memory）とは、SRAMインターフェースを備えたDRAMである。 ==擬似SRAMの利点== 擬似SRAMは、純粋なSRAMやDRAMに比べて以下の利点がある。 ; スタティック動作が可能である。 : ダイナミック動作はタイミングが規定されており、規定時間内にデータの入出力を行わなければならない。スタティック動作ではアドレス指定、ストローブ信号の入力、データの入出力を任意のタイミングで行う事ができるので、回路設計が容易になる。 ; 廉価である : SRAMは1記憶セルあたり最低6個の素子を必要とする。DRAMではキャパシタとスイッチングトランジスタだけで良いので集積密度が高く、小さなダイで良いので歩留まりに優れ、コスト的にはSRAMより優位にあり、単なるDRAMとSRAMの中間に存在する。 ; 大容量である : セルあたりのフットプリントがSRAMより小さいので、同じダイ面積では数倍の記憶容量を実現できる。これはデバイスサイズに敏感な用途では重要な要素となる。 ; 複雑なメモリコントローラが不要である : DRAMでは非常に複雑なメモリコントローラを必要とする。しかしSRAMインターフェースであれば、ラッチ回路があればよく、前述のスタティック動作でも良いことも相まって、回路規模をコンパクトにする事ができる。 抄文引用元・出典: フリー百科事典『 ウィキペディア（Wikipedia）』 ■ウィキペディアで「疑似SRAM」の詳細全文を読む スポンサード リンク
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