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相変化メモリ(そうへんかめもり・)は、相変化記録技術を利用した、不揮発性メモリであり、PCRAM・PRAM・PCMとも呼ばれる。 DRAMとの違いはキャパシター部分を相変化膜に置き換えだけであり、従来の製造プロセスと親和性が高く、技術的に共通点が多く、既存の設備を流用し易い。 結晶相は低抵抗でアモルファス相は高抵抗である事を利用してデータの記録に利用する。書き込みは素子への熱変化により行う。 ==関連項目== ==参考資料== 抄文引用元・出典: フリー百科事典『 ウィキペディア（Wikipedia）』 ■ウィキペディアで「相変化メモリ」の詳細全文を読む スポンサード リンク
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