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窒化物半導体 (ちっかぶつはんどうたい) は、III-V族半導体に於いて、V族元素として窒素を用いた半導体。窒化アルミニウム(AlN)、窒化ガリウム(GaN)、窒化インジウム(InN)が代表である。窒化アルミニウムは絶縁体ではあるが、同列に論じられる。 == 概要 == 従来の半導体に比べてバンドギャップの大きいワイドギャップ半導体であり〔http://www.ntt.co.jp/journal/0503/files/jn200503058.pdf 新しい窒化物半導体デバイス,牧本俊樹,NTT物性科学基礎研究所,NTT技術ジャーナル,2005年3月〕、また ガリウム、インジウム、アルミニウム の濃度を変化させることにより、大きくバンドギャップを変化させることが出来る。そのため可視光領域のほぼ全てをカバーでき、発光材料として有望視されている。 化学的に安定しているという特徴もあり、その特徴を利用した研究や応用が行なわれている。例えば、高い絶縁破壊電圧を持つことを利用して、損失の低い電子デバイスの実現が可能であったり、一部の窒化物半導体（窒化アルミニウム、窒化ガリウム、窒化インジウム）は高温（500℃程度）でも安定した特性を持つため、そうした環境下で冷却することなく使用できるデバイス材料としての研究・応用などが行なわれている。 他にも、物理的に強固である(非常に固い)こと、ヒ素などの有毒物質が用いられておらず環境負荷が低いこと、などの特長を持つ。 抄文引用元・出典: フリー百科事典『 ウィキペディア（Wikipedia）』 ■ウィキペディアで「窒化物半導体」の詳細全文を読む スポンサード リンク
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