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電界効果トランジスタ（でんかいこうかトランジスタ、''Field effect transistor'', FET）は、ゲート電極に電圧をかけ、チャネルの電界により電子または正孔の流れに関門（ゲート）を設ける原理で、ソース・ドレイン端子間の電流を制御するトランジスタである。電子と正孔の2種類のキャリアの働きによるバイポーラトランジスタに対し、いずれか1種類のキャリアだけを用いるユニポーラトランジスタである。FETは主にジャンクションFET（JFET）とMOSFETに大別される。他にMESFETなどがある。FETの動作原理は電界を使って電流を制御する点で真空管に類似している。 このページでは主にSiなどの無機半導体について述べる。有機半導体を用いたものについては有機電界効果トランジスタを参照。 == 概要 == === 端子 === FETには主な3種類の端子「ゲート」「ソース」「ドレイン」がある。ジャンクションFETは通常、以上の3端子のみである。 MOSFETではさらに半導体チップ基板が4番目の端子だが「バックゲート」「バルク」等、呼称は一定していない。1個1個パッケージされたディスクリート部品のMOSFETでは以上の4端子が別々に出ている品種もあるが、もっぱらソースとバックゲートを内部で直結して3端子になっており、回路図記号はその構造を反映している。MOS ICの内部では通常、バックゲートはp型とn型でそれぞれまとめてVddないしVssに接続されるため、回路図では省略されることもある。 特殊なものとしては、1つのチャネルに複数のゲートがあるデュアルゲートやマルチゲートのFETがある（マルチゲート素子も参照）。 高耐圧パワーMOSFETなど特殊なFETの品種を除いて、通常のFETはソースとドレインは対称であり構造的な違いはなく、電流を流す向きにより便宜的にソースとドレインとしている。ただし前述のようにディスクリートの3端子のMOSFETはソースとバックゲートが内部で直結されているため、ソースとドレインは逆にできない。 構造上、MOSFETのバックゲートとソースおよびドレインの間にはpn接合があり、寄生ダイオードと呼ぶ。MOSFETの回路図記号の中央に書かれることがある矢印はこのダイオードを反映している（横に別に大きく描くこともある）。パワーMOSFETで誘導性負荷やモータを駆動する際、オフ時の過渡的な逆起電力を逃すためのフリーホイールダイオードとして働かせるようにすると便利である。 抄文引用元・出典: フリー百科事典『 ウィキペディア（Wikipedia）』 ■ウィキペディアで「電界効果トランジスタ」の詳細全文を読む 英語版ウィキペディアに対照対訳語「 Field-effect transistor 」があります。 スポンサード リンク
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